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  3月5日，据上海松江官方报道，位于上海松江综合保税区的尼西半导体科技（上海）有限公司（以下简称“尼西半导体”），正式建成投产全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试全流程生产线。这一里程碑式突破，不仅攻克了功率半导体超薄晶圆量产的世界级技术禁区，更实现了从核心工艺到成套装备的全链条自主可控，为国产高端功率器件突围提供了坚实量产底座，助力我国功率半导体产业向高端化、自主化迈进，契合国家“十五五”规划中半导体产业链自主可控的核心导向。

  据悉，尼西半导体深耕功率半导体领域多年，是美商万国半导体（AOS）在中国设立的主要半导体生产基地之一，由万国半导体（香港）股份有限公司全资控股，具备成熟的生产管理经验与研发技术实力，此次依托本土产业优势实现极限制造突破，成为中外产业协同创新的典范。此次投产的35微米功率半导体超薄晶圆，厚度仅相当于普通人头发丝直径的一半，而这一看似微小的尺寸突破，背后是功率半导体制造领域长期难以攻克的技术鸿沟。

  在功率半导体行业，晶圆减薄是提升器件性能的核心路径，却长期成为国内厂商实现高端突破的“拦路虎”。行业主流功率器件晶圆厚度长期维持在100微米级别，当晶圆厚度降至50微米以下，硅片的断裂韧性会急剧下降，质地脆如膨化薯片，轻微的机械应力或温度波动都可能会引起碎裂、崩边，直接造成整批产品报废；与此同时，机械研磨带来的晶格应力损伤，会直接影响器件的电学性能与可靠性，这两大难题共同构成了全球半导体行业公认的超薄晶圆量产禁区。

  此次尼西半导体落地松江的产线，正是在这一“禁区”中实现了全流程工艺突破。据产线现场披露，尼西半导体通过与国内设备供应商联合攻关，构建了一套完整的超薄晶圆加工工艺体系，在减薄、切割等核心环节实现双重突破，彰显了国产协同创新的硬实力：

  在减薄环节，产线配备的高精度研磨机加工精度可达0.1微米，可将晶圆厚度精准控制在35±1.5微米区间，片内厚度偏差小于2微米；同时，通过定制化非物理性腐蚀工艺，成功消除92%的研磨应力损伤，最终将极薄晶圆的加工碎片率压降至0.1%以内，大幅优于行业中等水准，完全解决了超薄晶圆加工易破损的行业痛点。

  值得半导体行业关注的是，该产线实现了全流程自主可控，从临时键合、精密研磨、激光切割、解键合到终测的所有的环节，均配备专用定制设备，其中核心装备全部由尼西半导体与国内设备厂商联合研发完成，彻底打破了海外高端装备在该领域的垄断格局，填补了国内有关技术空白。产线运营多个方面数据显示，当前键合环节单日产能可达400片，成品测试环节单日产出稳定在12万颗，已具备规模化、商业化量产能力，能够持续为下游产业提供稳定供应。

  晶圆厚度的极限突破，最终直接转化为功率器件性能的跨越式提升。据尼西半导体技术负责的人介绍，35微米超薄晶圆可使载流子在芯片内的通行时间缩短40%，显着降低器件导通损耗与发热量；与行业主流的100微米厚度产品相比，该工艺生产的功率芯片热阻下降60%，相当于为芯片内置高效散热系统；在此基础上，超薄晶圆可实现封装环节的双面散热设计，让模块热阻再降30%，功率循环寿命提升至原有产品的5倍，完美契合高端功率器件“高功率密度、高可靠性、低损耗”的核心需求。

  从产业价值来看，这一技术突破的意义早已超出制造环节本身。据测算，同等规格的晶圆，采用35微米工艺可使芯片产出数量提升20%，直接降低单颗芯片制造成本，破解了高端功率器件“成本高、量产难”的痛点；在下游应用场景中，该工艺可使手机快充模块体积缩减50%，新能源汽车电控单元减重3公斤，完美适配新能源汽车、5G基站、工业高压变频器、数据中心电源等高功率密度场景需求，为国产功率器件进入高端车载、高压平台、超快充等此前被海外厂商垄断的市场，打通了量产落地的最后一公里。

  此次产线科创走廊半导体产业生态的一次集中成果释放。近年来，上海松江围绕集成电路、新能源电力装备等主导产业，持续完善功率半导体产业布局，已集聚了从关键材料、芯片设计、制造封测到装备研发的全产业链企业，形成国内少有的功率半导体产业集群。尼西半导体35微米超薄晶圆产线的投产，进一步补强了长三角地区功率半导体高端制造环节的短板，为国产半导体产业突破海外技术封锁、构建自主可控的产业链供应链，提供了可复制、可推广的协同创新范本。

  当前，新能源产业的爆发式增长，推动高端功率半导体成为全世界半导体市场之间的竞争的核心赛道，而高功率密度、高可靠性、低损耗的器件，正是竞争的重中之重。业内的人表示，全球首条35微米功率半导体超薄晶圆全流程产线的稳定量产，标志着中国在功率半导体极限制造领域已跻身全球第一梯队，这一突破不仅将加速国产高端功率器件的进口替代进程，更将为新能源汽车、新能源发电、新一代通信等国家战略性新兴起的产业，提供稳定、自主的核心器件支撑，推动国产半导体产业向高水平科技自立自强持续迈进。

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